차세대 3차원 D램 개발 주력
삼성전자가 차세대 3차원(3D) D램 개발에 주력할 메모리 연구개발(R&D) 조직을 만들어 기술 경쟁력 확보에 돌입했다.
28일 업계에 따르면 삼성전자는 미국 실리콘밸리에 있는 반도체 미주총괄(DSA)에 최첨단 메모리 연구개발 조직을 신설했다. 해당 조직은 3D D램을 선제적으로 연구하고 개발할 계획이다.
현재 D램은 단일 평면에 셀이 촘촘히 배치된 2D 구조이다. 메모리 업계는 성능이 더 뛰어난 3D D램 개발에 총력을 기울이고 있다. 셀을 수평으로 눕혀 위로 쌓아 올리는 방식, 셀 구조를 2단으로 쌓는 버티컬 방식 등 다양한 방식이 있다.
삼성전자는 2013년 세계 최초로 3차원 수직구조 낸드(3D V-NAND) 상용화에 성공했으며, D램에서도 3차원 수직 구조 개발 선점을 목표로 하고 있다. 지난해 10월 삼성전자는 차세대 10나노 이하 D램에서 기존 2D 평면이 아닌 3D 신구조를 도입할 계획을 밝혔다.