독립 리서치 기업 그로쓰리서치는 반도체 산업 보고서를 통해 메모리 반도체 시장이 가격 상승으로 이익을 개선하던 시기를 지나 판매량과 설비투자가 실적을 좌우하는 구간에 진입했다 평가했다. 단기간 급등한 D램 스팟 가격의 상승률 둔화가 예상되는 가운데, 고객사의 가격 부담과 장기공급계약 논의 확대로 인해 글로벌 반도체 기업들이 생산량을 늘리는 방향으로 무게중심을 이동하며 소부장 기업들의 실적을 견인하는 구간에 진입했다는 설명이다.
15일 보고서에 따르면 글로벌 반도체 제조사의 설비투자는 이미 파운드리와 D램 신규 라인을 중심으로 확대 국면에 들어섰다. TSMC는 2026년 설비투자 규모를 전년 대비 약 32% 늘어난 520억~560억달러로 제시하고 가이던스 상단 지출 가능성을 언급했으며, CoWoS 생산능력은 지난해 월 7만4000~7만5000장 수준에서 올해 130K, 내년 최대 210K 수준까지 늘어날 전망이다. 삼성전자 역시 올해 가동을 목표로 미국 텍사스주 테일러 파운드리 공장 투자를 이어가고 있어 전·후공정 장비 및 소재, 부품 수요가 동반될 것으로 분석했다.
D램 투자는 내년 하반기부터 본격화되어 삼성전자의 평택 P4 투자 조기 집행과 P5 가동 시점 단축, P6 기초 공사로 이어질 예정이다. SK하이닉스는 청주 M15X에 HBM과 1c D램 라인을 구축해 내년까지 약 70~80K 규모의 장비를 반입할 계획이며, 마이크론은 대만 PSMC P5 팹 인수와 미국 아이다호 ID1 공장 투자를 통해 내년 이후 생산능력을 집중적으로 확대한다.
한용희 그로쓰리서치 연구원은 "가동률 확보에 시간이 필요한 D램과 달리 낸드플래시 분야는 기존 라인의 고단화 전환이 먼저 진행되어 소재와 소모성 부품 수요가 상대적으로 빠르게 늘어날 수 있다"며 "삼성전자의 중국 시안 공장 V8·V9 전환 투자와 SK하이닉스·솔리다임의 중국 다롄 공장 192단 전환 및 V8 신규 투자(30~50K), 솔리다임 팹 증설(10K), 마이크론의 싱가포르 팹 건설, 키옥시아의 요카이치 및 기타카미 증설에 따른 수혜에 주목해야 한다"고 말했다.