CXMT 증설 속도, 관전 포인트 될 것
중국 메모리업체 창신메모리테크놀로지(CXMT)의 향후 증설 속도가 글로벌 D램 가격 관점에서 가장 중요한 관전 포인트가 될 것이란 전망이 나왔다.
1일 하나증권에 따르면 CXMT는 올해 2분기 4세대 B1 공정, 약 16nm급으로의 전환을 완료했다. 수율은 90%를 넘어선 것으로 추정되며 DDR5 제품은 5600MHz 지원이 가능하고 향후 6400MHz로 확대할 계획이다. 다만 다중 패터닝 의존으로 공정 단계가 더 많아 웨이퍼당 비트(bit) 생산량, 원가 등 측면에서는 여전히 선두업체 대비 열위에 있다. 고대역폭메모리(HBM)는 2027년 12단 HBM3E 양산을 목표로 하고 있다. 백승혜 하나증권 연구원은 "2027년 약 300~400만개 HBM3E 스택 생산이 가능할 경우 중국 내 인공지능(AI) 그래픽처리장치(GPU) 핵심 병목 완화에 충분한 규모가 될 것"이라고 내다봤다.
중장기적으로 글로벌 메모리 산업 관점에서 CXMT의 기술 수준보다 더 중요한 것은 생산능력 확장 속도와 이로 인한 공급 과잉, 가격 하단에 영향을 미치는 시점이다. 백 연구원은 "CXMT의 생산능력은 2028년 월 50만장에서 2030년 이후 월 80만장 수준으로 확대가 예상되며 D램 공급 부족 완화가 예상되는 2028년 전후부터는 가격 하락 사이클에서도 CXMT가 공격적 증설 기조를 이어갈 경우 범용 D램 가격 변동성을 키우는 요인이 될 수 있다"면서 "향후 CXMT의 증설 속도가 글로벌 D램 가격 관점에서 가장 중요한 관전 포인트가 될 것"이라고 말했다.
CXMT는 이번 최근 상반기 실적 발표에서 자체 개발한 LPDDR6 제품이 현재 샘플 공급과 검증을 완료하고 양산 단계로 전환을 가속화하고 있다고 밝혔다. 백 연구원은 "CXMT의 LPDDR6 제품은 최대 전송속도 12.8Gbps, 단일 칩 기준 최대 용량은 16GB로, 삼성전자·SK하이닉스가 올해 공개한 LPDDR6 제품의 최대 속도(14.4·10.7Gbps)와 최대 용량(16·16GB)에 근접한 수준"이라며 "향후 고급 스마트폰, 서버, 스마트카 시장에서 경쟁력을 확보해 나갈 것"이라고 설명했다.
CXMT의 상반기 매출액은 전년 동기 대비 873% 증가한 1503억위안으로 가이던스(1100~1200억위안) 상단을 25% 상회했다. 모회사 귀속 순이익은 776억위안을 기록, 가이던스(500~570억위안) 상단을 36% 상회하며 전년 동기 23억위안 적자에서 흑자 전환했다. 백 연구원은 "상반기 글로벌 D램 공급 부족이 지속됨에 따라 DDR5와 LPDDR 중심의 D램 제품 가격 상승과 판매량 급증이 실적 성장을 견인했다"면서 "상반기 매출총이익률은 84.8%로 전년 동기 12.7%에서 72.1%포인트 상승하며 글로벌 메모리 3사(SK하이닉스·삼성·마이크론) 평균인 76.1%를 크게 상회했다. 수익성이 대폭 개선된 배경에는 D램 가격 급등 외에도 CXMT의 생산능력 확대와 수율 개선, 중국 내 메모리 제품 국산화 수요가 복합적으로 작용했다"고 분석했다.